芯片半导体产品检测

鹏睿检测可为芯片半导体行业提供可靠性分析、认证以及电磁兼容、性能检测分析服务。

检测能力范围
·JESD22-A102E Accelerated Moisture Resistance Unbiased Autoclave
·JESD22-A108G Temperature , Bias , and Operating Life 
·JESD22-A104F Temperature Cycling
·JESD22-A110E.01 Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST) 
·JESD22-A105D:Power and Temperature Cycling
·JESD24-3 Thermal Impedance Measurement for Vertical Power MOSFETs (Delta Source-Drain Voltage Method )
·JESD24-4 Thermal Impedance Measurements for Bipolar Transistors (Delta Base-Emitter Voltage Method)
·JESD24-6 Thermal Impedance Measurements for Insulated Gate Bipolar Transistors
·AEC-Q101-Rev-E Failure  mechanism basedstress test qualification for discrete semiconductors in automotive applications
芯片电磁兼容性测试标准（车规、医疗、机器人等领域）
·GB/T 42968.1-2023 集成电路 电磁抗扰度测量 第1部分：通用条件和定义
·GB/T 42968.2-2024/IEC 62132-2:2010 集成电路 电磁抗扰度测量 第2部分：辐射抗扰度测量 TEM小室和宽带TEM小室法
·GB/T 43034.3-2023/IEC 62215-3:2013 集成电路 脉冲抗扰度测量 第3部分：非同步瞬态注入法
·GB/T 42968.8-2023/IEC 62132-8:2012 集成电路 电磁抗扰度测量 第8部分：辐射抗扰度测量:IC带状线法
·GB/T 42968.4-2024/ IEC 62132-4:2006_Direct RF Power injection 电磁抗扰度测量 射频功率直接注入法
·IEC 61967-1-EMI - Part 1 General conditions and definitions
·车辆集成电路电磁兼容试验通用规范 EMC Test Generic Specification of Vehicle lC
·辐射发射测量 TEM /宽带 TEM (GTEM)法SAE 752/3 SEP2017. AECO E9
·辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法 IEC 61967-2
·辐射发射测量 IC带状线法 IEC 61967-8
·传导发射测量10/1500直接耦合法 IEC 61967-4，GB/T 44937.4
·静电放电抗扰度试验 IEC 61000-4-2，GB/T 17626.2